Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.
Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.
Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.
IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.
Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.
Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.
IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.
Comments
Post a Comment